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類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 4.4V @ 120mA |
製造商 onsemi | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 876nC @ 20V |
包裝 托盤 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 16410pF @ 800V |
零件狀態 有源 | 功率 - 最大值 1.098W (Tc) |
技術 碳化矽 (SiC) | 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) |
配置 兩個 N 通道 (半橋) | 安裝類型 底盤安裝式 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200V (1.2kV) | 封裝/外殼 模組 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 338A (Tc) | 供應商元件封裝 36-PIM (56.7x62.8) |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 5.5mOhm @ 200A、18V | 基礎產品編號 |
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| 1 | $1,948.58000 | $1,948.58 |


