NVD3055L170T4G onsemi | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 nC @ 5 V
製造商 onsemi	Vgs (最大值) ±15V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 275 pF @ 25 V
零件狀態停產	功率耗散 (最大值) 1.5W (Ta)、28.5W (Tj)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	資格 AEC-Q101
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9 A (Ta)	安裝類型表面黏著式
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 5V	供應商元件封裝 DPAK
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 170mOhm @ 4.5A、5V	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA	基礎產品編號 NVD3055

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NVD3055L170T4G