2SC5415AE-TD-E onsemi | 雙極 RF 電晶體

2SC5415AE-TD-E已停產，且不再生產。

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 雙極 RF 電晶體	功率 - 最大值 800mW
製造商 onsemi	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 90 @ 30mA、5V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100mA
零件狀態停產	工作溫度 150°C (TJ)
電晶體類型 NPN	安裝類型表面黏著式
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 12V	封裝／外殼 TO-243AA
頻率 - 轉換 6.7GHz	供應商元件封裝 PCP
雜訊指數 (dB 典型值 @ f) 1.1dB @ 1GHz	基礎產品編號 2SC5415
增益 9dB

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替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
2SC5065-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	187	2SC5065-Y(TE85LF)CT-ND	$4.77000	相似
MAX2601ESA+	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	0	MAX2601ESA+-ND	$72.68000	相似