IXFH36N55Q2 IXYS | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 4mA
製造商 IXYS	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 110 nC @ 10 V
系列 HiPerFET™, Q2 Class	Vgs (最大值) ±30V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4100 pF @ 25 V
零件狀態停產	功率耗散 (最大值) 560W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 550 V	供應商元件封裝 TO-247AD (IXFH)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 36 A (Tc)	封裝／外殼 TO-247-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IXFH36
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 180mOhm @ 500mA、10V

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IXFH36N55Q2