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IRLML6402TRPBF
Infineon Technologies
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P 通道 20 V 3.7 A (Ta) 1.3W (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23
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IRLML6402GTRPBF

DigiKey 零件編號
IRLML6402GTRPBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
IRLML6402GTRPBFCT-ND - 切帶裝 (CT)
IRLML6402GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商
Infineon Technologies
製造商零件編號
IRLML6402GTRPBF
說明
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
客戶參考號碼
詳細說明
P 通道 20 V 3.7 A (Ta) 1.3W (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
IRLML6402GTRPBF 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
3.7 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
65mOhm @ 3.7A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
633 pF @ 10 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
1.3W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
Micro3™/SOT-23
封裝／外殼
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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