IRFS4115-7PPBF Infineon Technologies | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 11.8mOhm @ 63A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 250µA
系列 HEXFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 110 nC @ 10 V
包裝管裝	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態 DigiKey 停止供應	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5320 pF @ 50 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 380W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 150 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 105 A (Tc)	供應商元件封裝 D2PAK (7-Lead)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-7、D2PAK (6 引線 + 接片)、TO-263CB

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