Name: IRFH8201TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8201TRPBFTR-ND
Price: 17.2 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IRFH8201TRPBF
DigiKey 零件編號	IRFH8201TRPBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IRFH8201TRPBFCT-ND - 切帶裝 (CT) IRFH8201TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRFH8201TRPBF
說明	MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
製造商的標準前置時間	13 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 25 V 49 A (Ta)、100 A (Tc) 3.6W (Ta)、156W (Tc) 表面黏著式 8-PQFN (5x6)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IRFH8201TRPBF 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®, StrongIRFET™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	25 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	49 A (Ta)、100 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	0.95mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.35V @ 150µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	7330 pF @ 13 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.6W (Ta)、156W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-PQFN (5x6)
封裝／外殼	8-PowerTDFN
基礎產品編號	IRFH8201