IRF8313TRPBF Infineon Technologies | 離散式半導體產品

IRF8313TRPBF
DigiKey 零件編號	IRF8313TRPBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IRF8313TRPBFCT-ND - 切帶裝 (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRF8313TRPBF
說明	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 9.7A 2W 表面黏著式 8-SO
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IRF8313TRPBF 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9.7A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	15.5mOhm @ 9.7A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.35V @ 25µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	760pF @ 15V
功率 - 最大值	2W
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
供應商元件封裝	8-SO
基礎產品編號	IRF8313