Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 25.11 HKD
Availability: InStock

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
DigiKey 零件編號	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IQDH29NE2LM5CGATMA1
說明	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 25 V 75A (Ta)、789A (Tc) 2.5W (Ta)、278W (Tc) 表面黏著式 PG-TTFN-9-U02
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IQDH29NE2LM5CGATMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	25 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	75A (Ta)、789A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	0.29mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2V @ 1.448mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	254 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±16V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	17000 pF @ 12 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.5W (Ta)、278W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TTFN-9-U02
封裝／外殼	9-PowerTDFN
基礎產品編號	IQDH29

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