IPD80R1K0CEBTMA1 Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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Infineon Technologies

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IPD80R1K0CEBTMA1
DigiKey 零件編號	IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPD80R1K0CEBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPD80R1K0CEBTMA1
說明	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 800 V 5.7 A (Tc) 83W (Tc) 表面黏著式 PG-TO252-3-11
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	Digi-Key 停止供應
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	800 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	5.7 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	950mOhm @ 3.6A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.9V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	785 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	83W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO252-3-11
封裝／外殼	TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
基礎產品編號	IPD80R