IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies | 離散式半導體產品

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IPB049NE7N3GATMA1
DigiKey 零件編號	IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB049NE7N3GATMA1
說明	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT)
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	75 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	4.9mOhm @ 80A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.8V @ 91µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	4750 pF @ 37.5 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	150W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-3
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	IPB049