IMSQ120R012M2HHXUMA1
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IMSQ120R012M2HHXUMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R053M2HHXUMA1

DigiKey 零件編號
448-IMSQ120R053M2HHXUMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
448-IMSQ120R053M2HHXUMA1CT-ND - 切帶裝 (CT)
448-IMSQ120R053M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
IMSQ120R053M2HHXUMA1
說明
MOSFET 2N-CH 1200V 45A HDSOP16
製造商的標準前置時間
26 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 45 A (Tc) 234W (Tc) 表面黏著式
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Infineon Technologies
系列
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
有源
技術
碳化矽 (SiC)
配置
兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點
-
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
45 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
53mOhm @ 13A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.1V @ 4.1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28nC @ 0V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1010pF @ 800V
功率 - 最大值
234W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
封裝/外殼
24-BSOP (0.606", 15.40mm Width), 16 Leads, Exposed Pad
供應商元件封裝
PG-HDSOP-16-221
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編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
750$65.51849$49,138.87
製造商標準包裝