PG-TO263-7-12
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PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R026M2HXTMA1

DigiKey 零件編號
448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT)
448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
IMBG120R026M2HXTMA1
說明
MOSFET N-CH 1200V 75A TO263-8
製造商的標準前置時間
26 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-7-12
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
15V、18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
25.4ミリオーム @ 27.3A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.1V @ 8.6mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (最大值)
+23V、-10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1990 pF @ 800 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
335W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
PG-TO263-7-12
封裝/外殼
基礎產品編號
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編帶和捲軸封裝 (TR)
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製造商標準包裝