FF150R12KE3GB2HOSA1
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FF150R12KE3GB2HOSA1
FF150R12KE3GB2HOSA1

FF150R12KE3GB2HOSA1

DigiKey 零件編號
448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND
製造商
製造商零件編號
FF150R12KE3GB2HOSA1
說明
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
製造商的標準前置時間
14 週
客戶參考號碼
詳細說明
IGBT 模組 溝槽式場截止 半橋逆變器 1200 V 225 A 780 W 底盤安裝式 模組
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Infineon Technologies
系列
包裝
托盤
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽式場截止
配置
半橋逆變器
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)
1200 V
電流 - 集極 (Ic) (最大值)
225 A
功率 - 最大值
780 W
Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic
2.15V @ 15V、150A
電流 - 集極截止 (最大值)
5 mA
輸入電容值 (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
工作溫度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型
底盤安裝式
封裝/外殼
模組
供應商元件封裝
模組
基礎產品編號
現貨: 10
可立即出貨
皆以 HKD 計價
托盤
數量 單價 總價
1$854.93000$854.93
10$712.30400$7,123.04
製造商標準包裝
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190庫存現貨
由 Rochester Electronics, LLC 出貨