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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
說明 | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
製造商的標準前置時間 | 12 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 85A (Tj) 底盤安裝式 AG-EASY2B |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 型號 |
產品屬性
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包裝 | 托盤 | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | 碳化矽 (SiC) | |
配置 | 兩個 N 通道 (半橋) | |
FET 特點 | - | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 85A (Tj) | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 12mOhm @ 100A、18V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 5.15V @ 40mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 297nC @ 18V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 8800pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作溫度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
安裝類型 | 底盤安裝式 | |
封裝／外殼 | 模組 | |
供應商元件封裝 | AG-EASY2B | |
基礎產品編號 |
現貨: 16
可立即出貨
數量
皆以 HKD 計價
托盤
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $1,043.78000 | $1,043.78 |
| 18 | $903.12333 | $16,256.22 |
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