EPC2107
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EPC2107
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

DigiKey 零件編號
917-1169-2-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
917-1169-1-ND - 切帶裝 (CT)
製造商
製造商零件編號
EPC2108
說明
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 60V、100V 1.7A、500mA 表面黏著式 9-BGA (1.35x1.35)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
EPC
系列
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
零件狀態
停產
技術
GaNFET (氮化鎵)
配置
3 N 通道 (半橋 + 同步靴帶式)
FET 特點
-
汲極至源極電壓 (Vdss)
60V、100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.7A、500mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
190mOhm @ 2.5A、5V、3.3Ohm @ 2.5A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.22nC @ 5V、0.044nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
22pF @ 30V、7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
表面黏著式
封裝/外殼
9-VFBGA
供應商元件封裝
9-BGA (1.35x1.35)
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切帶裝 (CT)
數量 單價 總價
1$20.89000$20.89
10$13.46200$134.62
100$9.21580$921.58
500$7.40106$3,700.53
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
2,500$6.01689$15,042.23
製造商標準包裝