DMN3010LFG-13可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

參數同等


Diodes Incorporated
庫存現貨: 5,821
單價 : $7.28000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 0
單價 : $0.00000
規格書

相似


Texas Instruments
庫存現貨: 0
單價 : $7.19000
規格書

相似


Texas Instruments
庫存現貨: 5,117
單價 : $15.38000
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 4,619
單價 : $5.54000
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 2,572
單價 : $7.44000
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 9,725
單價 : $6.45000
規格書
N 通道 30 V 11 A (Ta)、30 A (Tc) 900mW (Ta) 表面黏著式 POWERDI3333-8
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

DMN3010LFG-13

DigiKey 零件編號
DMN3010LFG-13DI-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
DMN3010LFG-13
說明
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
製造商的標準前置時間
40 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 30 V 11 A (Ta)、30 A (Tc) 900mW (Ta) 表面黏著式 POWERDI3333-8
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
-
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
8.5mOhm @ 18A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2075 pF @ 15 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
900mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
POWERDI3333-8
封裝/外殼
基礎產品編號
產品問答

看看工程師有哪些疑問、提出您的問題,或協助 DigiKey 工程社群的成員

可訂購
查看前置時間
皆以 HKD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
3,000$1.68960$5,068.80
6,000$1.55310$9,318.60
9,000$1.48353$13,351.77
15,000$1.40539$21,080.85
21,000$1.38121$29,005.41
製造商標準包裝