FET、MOSFET

MOSFET (金屬氧化物半導體場效電晶體) 是一種半導體開關，常用於控制類比和數位電路中的電流。其運作原理是透過對閘極端子施加電壓，以調節汲極與源極端子之間的電流。由於具備高效率、低功耗、快速切換等特性，MOSFET 廣泛應用於電源供應器、馬達驅動器、DC-DC 轉換器、CMOS 邏輯電路中。

選擇 MOSFET 時，必須根據應用需求對應其電氣特性。首先應確認汲極源極電壓 (VDS) 是否高於電路可能遭遇的最高電壓。接著檢查閘極閾值電壓 (VGS(th))。若您使用的是微控制器 (如 3.3 V 或 5 V 邏輯電壓)，則需選用能在該電壓下完全導通的邏輯位準型 MOSFET。連續汲極電流 (ID) 的額定值必須符合或高於負載所需電流，而較低的導通電阻 (RDS(on)) 則有助於減少熱量與功率損耗。

MOSFET 主要分為兩種類型：N 通道與 P 通道，每種又分為增強模式與空乏模式。其中最常見的是 N 通道增強模式 MOSFET，因其電子遷移率較高，具備更低的導通電阻、更佳的切換效率。雖然 MOSFET 與 BJT (雙極性接面電晶體) 皆可作為開關或放大器使用，但 MOSFET 為電壓控制元件，而 BJT 則為電流控制元件。這使得 MOSFET 在高速、低功率、熱敏感應用中具有顯著優勢。