N 通道與 P 通道功率 MOSFET

YAGEO XSemi 的這款半導體 N 通道和 P 通道 MOSFET 系列採用適合表面黏著式應用的封裝

Image of YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETSMOSFET (金屬氧化物半導體場效電晶體) 是一種使用金屬氧化物閘極電極的電壓控制型場效電晶體。YAGEO Xsemi 這款功率 MOSFET (也稱為功率電晶體) 的特點為低導通電阻和高切換速度,適用於各種應用,包括類比和數位電路。提供多種封裝可廣泛用於商業和工業級表面黏著式應用。

與 BJT 不同,MOSFET 在電性上是與載流通道隔離開的,這有助於降低元件的功耗。MOSFET 在三種電壓區域中工作:三極管區、飽和區和截止區。下面顯示的方程式表明了這些區域 (按此放大)。

YAGEO XSemi 的區域條件表的圖片

特點
  • 表面黏著式封裝
  • 符合 RoHS 指令且不含鹵素
  • 低閘極電荷
  • 最大工作溫度為 +150°C
  • N 通道 MOSFET
    • 20 V 至 700 V 汲極電源電壓
    • 高達 300 A 的汲極電流,VGS @ 10 V4
  • P 通道 MOSFET
    • 20 V 至 700 V 汲極電源電壓
    • 高達 300 A 的汲極電流
 
  • 雙 N 通道
    • 100 V 汲極電源電壓
    • 高達 2.1 A 的汲極電流
  • 不對稱 N 通道
    • 30 V 汲極電源電壓
    • 高達 85 A 的汲極電流
  • 互補式 N 通道和 P 通道
    • 16 V、30 V 和 100 V 的汲極電源電壓
    • 高達 12 A 的汲極電流
應用
  • 低電壓應用
  • 切換式電源供應器
  • 商業和工業級表面黏著式應用
 
  • 電信系統
  • 消費性電子
更新日期: 2024-08-21

N-Channel Power MOSFETs

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P-Channel Power MOSFETs

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Power MOSFET Arrays

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MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAKXP3700MTMOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK30V11A (Ta)、7.3A(Ta)1000 - 即時供貨$11.77查看詳情
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MOSFET 2N-CH 30V 16A PMPAKXP3832CMTMOSFET 2N-CH 30V 16A PMPAK30V16A (Ta)、55A (Tc)、27A (Ta)、85A (Tc)1000 - 即時供貨$19.51查看詳情
MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAKXP10A250YTMOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK100V2.1 A (Ta)0 - 即時供貨$15.31查看詳情
MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SOXP10C150MMOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO100V2.5 A (Ta)989 - 即時供貨$9.96查看詳情
發佈日期: 2024-01-08