共模電力線扼流圈

Würth Elektronik 推出奈米晶架構、高電流、鎳鋅底、極高頻寬、水平及高電壓的共模電力線扼流圈。

WE-CMB 系列共模扼流圈︰WE-CMB 系列即使在低頻率範圍亦能達到非對稱干擾高抑制能力。使用共模扼流圈時，勿低估寄生效應。降低寄生效應是開發 WE-CMB 系列時最在乎的重點。完美的磁芯／繞組比可在相同的區域中達到極高電流，無論如何，都有足夠的電感。線規經過調整能達到低發熱。

WE-CMBNC 系列共模模式扼流圈、採用奈米晶體架構︰WE-CMBNC 系列產品採用奈米晶核心製成，並具有寬頻衰減。相較於採用 MnZn 核心材料製成的傳統磁芯，奈米晶磁芯具有 20 倍導磁率。因此能將主電源的干擾降低至低 kHz 頻率範圍，此範圍對傳統 NiZn 和 MnZn 磁芯具有極小衰減效應。即使在高頻率範圍內，低繞組電容量也能達到高等級的衰減。相較於傳統核心，其居禮溫度約高三倍，因此推挽式干擾不會導致主電源扼流圈飽和。

WE-CMB HC 系列共模模式扼流圈、高電流︰WE-CMB HC 系列也可在低頻率範圍內達到非對稱干擾抑制。此系列亦具有更高的電流額定值。

WE-CMB NiZn 系列共模模式扼流圈、採用鎳鋅架構︰WE-CMB NiZn 系列核心材質採用鎳鋅，可在高和中頻率下達到高抑制非對稱干擾傳輸率。

WE-ExB 系列共模扼流圈、極端頻寬︰Würth Elektronik 的 WE-ExB 系列提供雙磁芯扼流圈，以 MnZn 和 NiZn 製成。此元件的插入損耗可在比單一 NiZn 或 MnZn 磁芯更寬廣的頻率範圍內發揮效應。相較於之前提供的電流補償線路扼流圈，這可在低頻率範圍 (150 kHz 至 4 MHz) 提升 70% 的插入損耗，在高頻範圍 (30 MHz 至 4 MHz) 提升 30% 的插入損耗。此電流補償共模扼流圈特別適合在 EMC、網路或共模濾波器中具有寬廣干擾頻譜的網路應用，特別是電力電子與馬達干擾抑制應用。

WE-CMBH 系列共模模式扼流圈、水平：Würth Elektronik 推出水平款式的共模電源線扼流圈。此電力線扼流圈的高度僅 22 mm，因此非常適合薄型外罩。採用低電容量繞組技術，因此可提供比以往更寬頻的抑制能力。因此，WE-CMBH 系列非常適合用於抑制 150 kHz 至 30 MHz 頻率範圍內的干擾。此系列適用於過濾 AC/DC 以及高功率 DC/DC 電源供應器的共模雜訊。此外，由於核心或引線未採用焊接或黏著方式連接到塑膠基板，因此 CMBH 系列產品具有牢固的機械穩定性。產品系列提供的電感值範圍介於 1.0 mH 至 7.0 mH，電流處理能力高達 10 A。

WE-CMB HV 系列共模扼流圈、高電壓︰WE-CMB HV 系列是電流補償共模扼流圈，適合高達 760 V_AC 的主電源應用。此系列與既有的 WE-CMB 和 WE-CMB NC 系列間距相容。WE-CMB HV 採用塑膠外殼和更厚的分隔器，因此相較於 WE-CMB 系列，具有高達三倍的額定電壓、兩倍的絕緣電壓，以及高達三倍更大的間隙和沿面距離。