1,200 V 離散式碳化矽 MOSFET

Wolfspeed 1,200 V 離散式碳化矽 MOSFET 可提高效率

1200 V 離散式碳化矽 MOSFET 的圖片 Wolfspeed 1,200 V 碳化矽 MOSFET 為效能、耐用性、設計便捷性樹立了標準。 相較於矽 MOSFET 和 IGBT 現有產品,本產品極快的切換速度、超低的切換損耗、不同溫度下穩定的導通損耗可確保系統效率、功率密度、整體物料清單成本大幅改善。 它們旨在最佳化高功率應用,例如不斷電系統 (UPS)、馬達驅動器、切換式電源供應器 (SMPS)、再生能源、電動車快速充電器等。

這些 MOSFET 與 1,200 V SiC 肖特基二極體結合,形成強大的組合,可在要求嚴格的應用中實現更高的效率。使用者可以評估並最佳化 Wolfspeed SiC MOSFET SpeedVal™ 套件模組化評估平台的高速動態切換效能。

特點
  • 在溫度範圍內維持低 RDS(ON)
  • 快速、耐用的固有碳化矽本體二極體
  • 高溫運作:TJ 為 +175°C
 
  • 採用新的封裝選項,並具有獨立的開爾文源極引腳
  • 降低散熱片需求
應用
  • 儲能
  • 太陽能逆變器
  • 電動車的車載、非車載充電器
 
  • UPS 和馬達驅動器
  • 電動車暖通空調馬達驅動器
  • 輔助電源供應器
發佈日期: 2025-01-17