Vishay / Siliconix

SiSS52DN 30 V N 通道 MOSFET

Vishay 的 MOSFET 可提供低至 0.95 mΩ 的 RDS(ON) 和更佳的 29.8 mΩ*nC FOM，並採用 PowerPAK® 1212 8S 封裝

Vishay 的 SiSS52DN 30 V N 通道 MOSFET 的圖片Vishay 的多功能 SiSS52DN 30 V N 通道 TrenchFET® Gen V 功率 MOSFET 可為隔離式和非隔離式拓撲提供更高的功率密度及效率，為需要使用這兩種拓撲的設計人員提供更簡單的零件選項。本產品採用 3.3 mm x 3.3 mm 散熱增強型 PowerPAK 1212-8S 封裝，在 10 V 電壓下具有 0.95 mΩ 的同級最佳導通電阻，比前一代產品提高 5%。此外，本 MOSFET 在 4.5 V 時可提供 1.5 mΩ 的導通電阻，但其 4.5 V 時的 29.8 mΩ*nC 導通電阻乘以閘極電荷 (切換應用 MOSFET 的關鍵效能指數 FOM) 非常低。SiSS52DN 的 FOM 比前一代元件提高 29%，這表示傳導和切換損耗更低，因此可節省功率轉換應用中的能源。

特點
  • 同級最佳的導通電阻：10 V 時為 0.95 mΩ
  • 極低 FOM：29.8 mΩ*nC
  • 採用 3.3 mm x 3.3 mm 散熱增強型 PowerPAK 1212-8S 封裝
  • 100% 通過 RG 和 UIS 測試、符合 RoHS 指令、不含鹵素
應用
  • 伺服器、電信和 RF 設備的電源供應器
    • 低側切換
    • 同步整流
    • 同步降壓轉換器
    • DC/DC 轉換器
    • 開關櫃拓撲
    • OR-ring FET
    • 負載開關

SiSS52DN 30 V N-Channel MOSFET

圖片製造商零件編號說明電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C技術汲極至源極電壓 (Vdss)現有數量價格查看詳情
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKSISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK47.1A (Ta)、162A (Tc)MOSFET (金氧)30 V15003 - 即時供貨$13.09查看詳情
發佈日期： 2021-04-26

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