Vishay / Siliconix

TrenchFET® 功率 MOSFET 針對標準閘極驅動進行最佳化

Vishay 的 60 V MOSFET 在 PowerPAK® 1212-8S 封裝中提高效率和功率密度

Vishay/Siliconix 的最佳化 60 V 功率 MOSFET，用於標準閘極驅動器圖片Vishay 的 60 V TrenchFET 第四代 N 通道功率 MOSFET 是業界首款針對標準閘極驅動進行最佳化的 MOSFET，採用耐熱增強型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S 封裝，在 10 V 時提供低至 4 mΩ 的最大導通電阻。Vishay Siliconix 的 SiSS22DN 設計旨在提高切換拓撲結構的效率和功率密度，具有低 QOSS，閘極電荷為 22.5 nC。

特點
  • 10 V 時最大導通電阻低至 4 mΩ，可最大限度地降低導通損耗
  • 低 QOSS 及 34.2 nC 和 22.5 nC 的閘極電荷，降低切換的功耗
  • 採用緊湊的 3.3 mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S 封裝
  • 100％ 通過 RG 和 UIS 測試、符合 RoHS 標準、不含鹵素
應用
  • AC/DC 和 DC/DC 拓撲中的同步整流
  • DC/DC 轉換器中的一次側切換、升降壓轉換器中的半橋 MOSFET 功率級，以及電信和伺服器電源供應器中的 OR-ing 功能
  • 電動工具和工業設備中的馬達驅動控制和電路保護
  • 電池管理模塊中的電池保護和充電

TrenchFET® 60 V Power MOSFET

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發佈日期： 2019-08-14