30 V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET

Vishay Siliconix 宣布推出運用 TrenchFET Gen IV 技術的新型 30 V 非對稱雙通道 TrenchFET 功率 MOSFET，採用 PowerPAIR^® 3 mm x 3 mm 封裝。 Vishay Siliconix 的 SiZ340DT 在單一小型封裝中結合高側和低側 MOSFET，有助於減少功率損耗、節省空間並且簡化高效率同步降壓轉換器的設計，比起前代採用此封裝尺寸的元件，導通電阻降低 57%、功率密度提升 25%、效率提升 5%。 SiZ340DT 的 TrenchFET Gen IV 技術運用先進的高密度設計，可降低導通電阻並達到最佳化閘極電荷。 SiZ340DT 能大幅降低功率損耗，展現比競品更佳的效率，尤其是在 10 A 以上的輸出電流時。 由於具有更高的效率，在相同的輸出負載下，SiZ340DT 的操作溫度能比前代元件降低 30%，或是提供更高的功率密度。 針對具有 10 A 至 15 A 輸出電流和低於 2 V 輸出電壓的典型 DC/DC 拓撲，SiZ340DT 的小型 3 mm x 3 mm 覆蓋區能比離散解決方案節省高達 77% 的PCB 空間，例如適用於高側的 PowerPAK^® 1212-8 MOSFET 和適用於低側的 PowerPAK SO-8。 此元件能降低切換損耗，達到超越 450 kHz 的更高切換頻率，因此可採用更小的電感和電容，縮減 PCB 尺寸。