Vishay / Siliconix

150 V Gen V SiR578DP MOSFET

Vishay 的 MOSFET 採用節省空間的 PowerPAK® 封裝，提供 7.3 mΩ 電阻

Vishay 的 150 V Gen V SiR578DP MOSFET 的圖片Vishay 的 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可為隔離式、非隔離式拓撲提供更高的功率密度和效率。結合超低導通電阻、高達 +175°C 的高溫運作、節省空間的 PowerPAK 封裝，有助於透過其無焊線結構提高板級可靠性。TrenchFET Gen V MOSFET 改進了 FOM，可實現更有效率的電源轉換。此系列經過 100% RG 和 UIS 測試，符合 RoHS 指令且不含鹵素。

特點
  • TrenchFET Gen V 功率 MOSFET
  • 超低 RDS(ON) x QG FOM 乘積
  • 最佳 QGD/QGS 比率
  • 卓越的電源供應器效率表現
應用
  • 一次側開關
  • 電信電源同步整流
  • 電池管理
  • 工業市場

150 V Gen V SiR578DP MOSFETs

圖片製造商零件編號說明FET 類型技術汲極至源極電壓 (Vdss)現有數量價格查看詳情
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWN 通道MOSFET (金氧)150 V4767 - 即時供貨$21.40查看詳情
發佈日期： 2024-02-01

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