Vishay General Semiconductor - Diodes Division

650 V 碳化矽肖特基二極體

Vishay 的 4 A 至 40 A 元件具有合併式 PIN 肖特基設計

Vishay 的 650 V 碳化矽肖特基二極體圖片Vishay 推出具有合併式 PIN 肖特基 (MPS) 設計的 650 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體。這些元件旨在藉由降低切換損耗來提升高頻應用的效率，而不受溫度變化的影響，使裝置可以在更高的溫度下工作。元件的合併式 PIN 肖特基設計可屏蔽肖特基阻障層的電場，以減少漏電流，同時透過電洞注入提高突波電流能力。與純矽肖特基元件相比，這些二極體可處理相同程度的電流，但順向壓降僅會稍微增加，同時展現大幅提升的耐用性，為設計人員提供系統最佳化方面更大的靈活性。產品以 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封裝提供。

特點
  • 合併式 PIN 肖特基設計
  • 正 VF 溫度係數，可輕鬆並聯
  • 不隨溫度改變的切換行為
  • 額定電流範圍為 4 A 至 40 A
  • 提供高達 +175°C 的高溫操作
  • 符合 JESD 201 Class 1A 錫鬚測試
  • 採用 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封裝
應用
  • 返馳式電源供應器中的 PFC 和輸出整流
  • 伺服器的 LLC 轉換器
  • 電信設備
  • UPS
  • 太陽能變頻器

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes

圖片製造商零件編號說明電流 - 逆向漏電 @ Vr速度電流 - 平均整流 (Io)現有數量價格查看詳情
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發佈日期： 2021-01-20

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