1 MBd 和 10 MBd VOW 寬主體、高度隔離、高速光耦合器系列，具有 10 mm 沿面距離

此元件由 Vishay Semiconductor Opto Division 設計，可在高電壓應用中提升可靠度，例如替代能源和工業系統中，提供 8000 V 的 V_IOTM、1414 V 的 V_IORM，以及超過 10 mm 的外部沿面距離。 具有極高的隔離能力，非常適合用於具有更高工作電壓和／或更高汙染條件的應用。 全新的 VOW 寬主體、高度隔離、高速光耦合器系列能讓設計人員選擇 SMD 和通孔式選項，並具有高 CMR 規格所帶來的優異雜訊解耦能力。

Vishay 的寬主體 VOW135、VOW136 (1 MBd) 以及 VOW137、VOW2211 (10 MBd) 高速光耦合器能讓設計人員享有高隔離電壓安全額定值，以及超長的沿面距離與空間隔離距離。 這些寬主體 VOW 元件不僅符合國內和國際安全機構的要求（如智慧儀表 (CAT IV)），亦可協助降低工業高功率切換應用中常見的電氣雜訊，如 AC 變速馬達驅動、太陽能逆變器和焊接機。 這些元件的雜訊隔離能力係透過其典型的高共模雜訊拒斥值所達成。

寬主體 VOW 系列結合經過時間證明的光學隔離技術以及先進的 1 MBd 和 10 MBd 數據傳輸率，並且具有靈活的開集極輸出配置，能讓設計人員自由選擇最適合應用需求的負載電阻值。

特點

• 外接沿面距離不小於 10 mm
• V_IOTM 為 8000 V、V_IOTM 為 1414 V
• 最高工作溫度為 100°C
• 開集極輸出

應用

• 非常適合用於具有更高工作電壓和／或更高汙染條件的應用