Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-SCx0BA120 碳化矽橋接模組

Vishay 這款高效率、高效能的 SiC 肖特基二極體是要求嚴苛應用的理想選擇

Vishay Semi Diodes VS-SCx0BA120 碳化矽橋模組的圖片Vishay VS-SC50BA120 和 VS-SC90BA120 碳化矽 (SiC) 橋接模組是設計在高功率應用中提供卓越的效能和效率。這些模組採用先進的 SiC 肖特基二極體技術，與傳統的矽基二極體相比，該技術提供顯著的優勢，包括幾乎沒有回復尾部和降至最小的切換損耗。VS-SC50BA120 的額定電流為 50 A，而 VS-SC90BA120 的額定電流為 90 A，兩者的最大重複逆向電壓均為 1,200 V。這些模組採用堅固的 SOT-227 封裝，即使在惡劣環境下也能確保可靠的運作。具有改善過的順向電壓 (VF) 和薄晶圓技術所帶來的效率，這些橋接模組非常適合需要高速切換和高效率功率轉換的應用。

特點
  • 幾乎沒有回復尾部
  • 最小的切換損耗
  • 採用肖特基技術的多數載子二極體
  • 寬能隙的 SiC 材料
  • 改善過的 VF 和薄晶圓技術的效率
  • 高的重複逆向電壓︰1,200 V
  • 高額定電流：VS-SC50BA120 為 50 A，而 VS-SC90BA120 為 90 A
  • 標準 SOT-227 封裝
  • 高突波電流承受能力
  • 寬廣的工作溫度範圍：-40°C 至 +175°C
  • 低逆電流
  • 高速切換
  • 增強的散熱效能
  • 高可靠度
  • 適合高頻應用
應用
  • 電源供應器
  • 馬達驅動
  • 太陽能逆變器
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 電動車 (EV) 充電站
  • 工業自動化
  • 再生能源系統
  • 高頻轉換器
  • 熔接設備
  • 感應加熱
  • 功率因數校正 (PFC) 電路
  • 電池管理系統
  • 牽引逆變器
  • 高電壓 DC/DC 轉換器
  • 航太和國防系統

VS-SCx0BA120 Silicon Carbide Bridge Modules

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發佈日期： 2024-11-21