Vishay General Semiconductor - Diodes Division

碳化矽肖特基二極體

Vishay 碳化矽肖特基二極體非常適合要求嚴格的應用

Vishay 碳化矽肖特基二極體的圖片Vishay Gen 3 功率 SiC 合併 PIN 肖特基二極體是廣頻隙的碳化矽 SiC 二極體。它們是專為高效能、耐用性而設計，非常適合在寬廣的溫度範圍內實現極高速的硬切換。這些二極體特別適合要求嚴格的應用，例如 AC/DC、DC/DC 轉換器中的自舉二極體和反向並聯二極體。

特點
  • 薄型、表面黏著式封裝：採用典型高度為 1.7 mm 的 SMPD、典型高度為 1.3 mm 的 SlimDPAK
  • 高電壓沿面距離：高達 3.7 mm，確保在高電壓下安全運作
  • 更佳的 VF 和效率：透過薄晶圓技術實現，提高整體效能
  • 低 VF x Q C：實現低功率耗散，使二極體更有效率
  • 高接面工作溫度：+175°C
  • 可靠性合格：經過 2,000 小時高溫逆向偏壓 (HTRB)、2,000 次溫度循環 (TC) 測試，確保長期可靠性
  • 正 VF 溫度係數：有利於二極體的輕鬆並聯
  • 溫度恆定的切換行為：確保在寬廣的溫度範圍內維持一致的效能
  • D2PAK 2L 封裝：採用具有高相對漏電起痕指數 (CTI 大於或等於 600) 的模製材料，可根據 IEC 60664-1 標準在升高的電壓下運作
  • 幾乎沒有恢復尾段和切換損耗，有助於確保高效能運作
  • 符合 J-STD-020 的 MSL Level 1，最大峰值為 +260°C
  • MPS 結構具有高穩健性，可應對順向電流突波事件
  • 符合 JESD 201 Class 2 錫鬚測試，有助於確保可靠性
  • 材料分類符合定義和標準要求
應用
  • 靴帶式二極體：用於電路中，提供比電源電壓更高的電壓
  • 反向並聯二極體：用於 AC/DC 和 DC/DC 轉換器，以提高效率和效能
  • 轉換器：由於其高速切換能力，非常適合用於 AC/DC、DC/DC 轉換器

Silicon Carbide Schottky Diodes

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發佈日期： 2025-03-26