Vishay General Semiconductor - Diodes Division

碳化矽肖特基能障二極體

Vishay 的整合式功率元件在單一外罩中提供可靠的效能、更高的功率密度

Vishay Semi Diodes 的碳化矽肖特基能障二極體圖片Vishay 基於寬能隙 SiC 的 650 V 肖特基二極體是專為高效能、耐用性而設計。它是在寬廣溫度範圍內實現高速、硬切換、高效運作的最佳選擇，亦推薦用於所有不適應矽的超快恢復行為的應用。典型應用包括 FBPS、LLC 轉換器中的 AC/DC PFC、DC/DC 超高頻輸出整流。

特點
  • 幾乎沒有恢復尾段，也沒有切換損耗
  • 在 SiC 寬能隙材料上採用肖特基技術的多數載子二極體
  • 高速切換、低切換損耗
  • 正溫度係數，可輕鬆並聯
  • 電氣隔離基板
  • 端子間有長沿面距離
  • 簡化的機械設計可快速組裝
  • 專為工業級應用設計並通過認證
  • 通過 UL 認證，檔案編號 E78996
  • 透過薄晶圓技術，提高 VF 和效率

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Single Diode

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Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Diode Arrays

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發佈日期： 2024-04-22

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