TP65H035WSQA Gen III AEC-Q101 認證 GaN FET

高電壓 TP65H035WSQA 是使用 Transphorm 的 JEDEC 認證 Gen III GaN 平台打造而成，採用標準 TO247 封裝，提供 35 mΩ 導通電阻，方便驅動。它也是該公司第二款符合 AEC-Q101 標準的 GaN 元件，同屬 Transphorm 用於各種生產客戶應用的功率 FET 系列。針對這項最新的汽車認證，Transphorm 將該 FET 的熱限制提高至 175°C，比標準的 AEC-Q101 認證高壓矽 MOSFET 高出 25°C。TP65H035WSQA 將這種經過實證的可靠性與 4 V 閾值和 ±20 V 閘極穩健性相結合，是目前最高品質、最高可靠性 (Q+R) GaN 功率半導體之一。