Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

採用 TOLL 封裝的 DTMOS VI MOSFET

Toshiba 的 MOSFET 非常適合切換式電源應用

Toshiba 採用 TOLL 封裝的 DTMOSVI MOSFET 的圖片Toshiba 的高電壓 DTMOS VI MOSFET 具有低汲極源極導通電阻 (RDS(ON)) 和高速切換特性及低電容量。這使其非常適合切換式電源應用。這款最新型的 DTMOS VI 具有最低的效能指數 RDS(ON) x QGD，並採用 TOLL 封裝及開爾文電源連接，可減少導通和關斷損耗。

特點
  • 降低成本
  • 多種導通電阻和封裝選項
  • DTMOS VI 提供的最低效能指數 (RDS(ON) x QGD)
  • 高溫下穩定的導通電阻
  • 可自由彈性選擇封裝和 RDS(ON) 系列產品
  • DTMOS VI 可在電源上實現最高效率的切換
  • 減少熱生成
  • 降低被動元件成本
  • 支援更高的功率密度
應用
  • 資料中心、光電逆變器和 UPS
  • 切換式電源供應器
  • 照明
  • 功率因數控制
  • 工業電子產品

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ5932 - 即時供貨$52.44查看詳情
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ1008 - 即時供貨$37.87查看詳情
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ0 - 即時供貨$35.97查看詳情
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ0 - 即時供貨$40.42查看詳情
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ4176 - 即時供貨$73.10查看詳情
發佈日期： 2021-05-04

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