TPS54116-Q1 降壓轉換器

TI 推出 TPS54116-Q1 汽車 DDR 電源解決方案,具有 4 A 2 MHz、VDDQ DC/DC 轉換器、1 A VTT LDO、VTTREF 緩衝式參考輸出

Texas Instruments 的 TPS54116-Q1 降壓轉換器影像Texas Instruments TPS54116-Q1 元件是具有完整功能的 6 V、4 A、同步降壓轉換器,具有兩個整合式 MOSFET 和一個 1 A、流入/流出、雙倍資料傳輸率 (DDR) VTT 端子穩壓器,具有 VTTREF 緩衝參考輸出。 TPS54116-Q1 降壓穩壓器整合 MOSFET 並縮減電感尺寸,能大幅降低方案尺寸,並且具有高達 2.5 MHz 的切換頻率。 針對雜訊敏感的應用,切換頻率可設定高於無線電中波段,並且可同步至外部時脈。 同步整流可讓頻率在整個輸出負載範圍內保持固定。 透過整合式、25 mΩ 低側與 33 mΩ 高側 MOSFET,可達到最高效率。 逐週期峰值電流限制在過電流情況下可保護元件,且可透過電阻在 ILIM 引腳進行調整,針對更小的電感達到最佳效能。

VTT 端子穩壓器以 2 x 10 µF 的陶瓷輸出電容量,即可維持快速暫態響應,因此能減少外接元件數。 TPS54116-Q1 採用 VTT 的遠端感測,達到最佳調節。 使用致能引腳進入關斷模式,可降低電源電流至 1 µA。 欠壓鎖定閾值可在任一致能引腳,採用電阻網路進行設定。 VTT 和 VTTREF 輸出在以 ENLDO 停用時卸除。 完全整合性能縮減 IC 覆蓋區,採用小型、4 mm x 4 mm、熱增強型 WQFN 封裝。

特點
  • AEC-Q100 認證具有下列效果:
    • 元件溫度等級 1:環境工作溫度介於 -40°C 至 125°C
    • 元件 HBM ESD 類別等級 2
    • 裝置 CDM ESD 等級 C6
  • 1 A 流出/流入端子 LDO,具有 ±20 mV DC 準確度
    • 2 x 10 µF MLCC 電容提供穩定性
    • 10 mA、流出/流入、緩衝參考輸出,調節至 VDDQ 的 49% 至 51% 範圍內
  • 獨立的致能引腳,具有可調式 UVLO 和磁滯
  • 熱關斷
  • 單晶片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 記憶體電源解決方案
  • 4 A 同步降壓轉換器
    • 整合式、33 mΩ 高側和 25 mΩ 低側 MOSFET
    • 固定頻率電流模式控制器
    • 可調式切換頻率介於 100 kHz 至 2.5 MHz
    • 可和外部時脈同步
    • 在溫度變化下提供 0.6 V ± 1% 電壓參考
    • 可調式、逐週期峰值電流限制
    • 單調啟動進入預偏壓輸出
  • 24 引腳、4 mm x 4 mm WQFN 封裝
  • -40°C 至 150°C 工作 TJ

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

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發佈日期: 2016-10-05