Texas Instruments

LMG2100R044 – 100 V、35 A GaN 半橋功率級

Texas Instruments LMG2100R044 是內建驅動器的高效率 GaN 功率級

Texas Instruments LMG2100R044 – 100 V、35 A GaN 半橋功率級的圖片 Texas Instruments 的 LMG2100R044 是高效能的 100 V、35 A 半橋功率級，整合了兩個 4.4 mΩ 增強模式 GaN FET 和一個高速驅動器。此元件是專為高效率、高密度電源轉換而設計，非常適合需要快速切換、低損耗、小型 PCB 佈局的應用。

LMG2100R044 具有 90 V 連續電壓、100 V 脈衝電壓額定值，支援高迴轉率切換和微乎其微的振鈴效應，適用於要求嚴苛的電力傳輸系統。其整合式驅動器可簡化設計並減少元件數量，而緊湊的封裝則可提高散熱效能和佈局靈活性。

本元件支援 3.3 V、5 V 邏輯位準，並採用 5 V 外部偏壓電源運作。已針對電信、數據通訊、工業電源供應器等應用中的同步降壓、升壓、半橋拓撲進行了最佳化。

特點
  • 整合式 4.4 mΩ 半橋 GaN FET 和驅動器
  • 90 V 連續電壓、100 V 脈衝電壓額定值
  • 高迴轉率切換、低振鈴效應
  • 5 V 外部偏壓電源
  • 支援 3.3 V、5 V 輸入邏輯位準
  • 針對 PCB 佈局進行最佳化的小型封裝
  • 整合式保護功能
應用
  • 電信和數據通訊電源供應器
  • 工業電源系統
  • 高效率 DC-DC 轉換器
  • 同步降壓、升壓轉換器
  • 半橋、全橋拓撲
  • 高密度電源模組

LMG2100R044 – 100 V, 35 A GaN Half-Bridge Power Stage

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發佈日期： 2025-06-17