寬能隙 SiC 650 V 肖特基能障二極體

Taiwan Semiconductor 的這款 SiC MPS 二極體是提高效率、可靠度和效能的終極工具

Taiwan Semiconductor 的寬能隙肖特基能障二極體的圖片Taiwan Semiconductor 的 650 V 碳化矽肖特基能障二極體適用於高效率 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 轉換應用。與矽基快速恢復整流器不同的是,這些 SiC 元件由於有著低的電容性電荷 (QC ),所以切換損耗可以忽略不計。這使得它們適合高速切換應用,提高有利於電路設計的功率密度,並可以減小整體解決方案尺寸。

這款 SiC 元件結合了具有低順向壓降的肖特基二極體和具有高逆向崩潰電壓的 P-N 接面二極體,使其成為電源線、控制按鈕和數據纜線的終極保護者。

特點
  • 最高接面溫度:+175°C
  • 高速切換
  • 高頻運作
  • VF 正溫度係數
  • 提供 SPICE 模型
  • 提供熱量模型
  • PFC 升壓二極體
  • 飛輪二極體
  • 全波橋電路
  • Vienna 非橋式電路
應用
  • AC/DC 轉換、PFC 升壓
  • DC/DC、太陽能逆變器
  • 資料中心和伺服器電源
  • 電信、數據通訊電源
  • UPS 系統

Diode Arrays

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Single Diodes

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發佈日期: 2024-08-07