STGAP2SICSN 用於 SiC MOSFET 的電流隔離式單通道閘極驅動器

STMicroelectronics 的 STGAP2SICSN 電流隔離式單通道閘極驅動器用於碳化矽功率電晶體，採用 SO8 標準封裝。它利用最新的電流隔離技術以小巧的覆蓋區為碳化矽提供了合適的隔離驅動器，能號稱承受 4.8 kV 的暫態過電壓。此閘極驅動器具有 4 A 能力的特性，可承受高達 1700 V 的高電壓軌。在整個溫度範圍內，dv/dt 暫態耐受性為 ±100 V/ns，確保對電壓暫態具有卓越的耐用性。

此元件提供兩種配置。它們根據計劃策略為外部組件提供高度靈活性和優化的物料清單。第一個選項的特點為獨立的輸出引腳，可通過使用獨立的電阻來優化獨立的開啟和關閉。第二個配置的特點為單輸出引腳和米勒箝位功能，能在半橋拓撲快速換向期間，避免發生閘極尖波。

低至 3.3 V 的 CMOS/TTL 相容邏輯輸入確保可與微控制器和 DSP 周邊裝置直接介接。STGAP2SICSN 驅動器允許用戶設計高可靠度的系統，這要歸功於如 UVLO 等内建的保護功能，為 SiC MOSFET 和熱關斷功能提供最佳的數值，當接面溫達到設定的閾值時，將兩個驅動器的輸出拉低，在半橋電路中產生高的阻抗。

待機模式可減少閒置功耗。STGAP2SICSN 適用於電源轉換和工業應用中的中高功率應用。STGAP2SICSN 採用 SO8N 封裝。