STGAP2SiCS 用於 SiC MOSFET 的電流隔離型單閘極驅動器

STMicroelectronics 的高壓閘極驅動器採用 BCD6s 技術製造

STMicroelectronics STGAP2SiCS 用於 SiC MOSFET 的電流隔離型單閘極驅動器的圖片STMicroelectronics 的 STGAP2SiCS 是一款採用 BCD6s 技術製造的高壓 (最高 1200 V) 閘極驅動器。它包含在閘極驅動通道與低壓控制和介面電路之間的 6 kV 電流式隔離中。它以小巧的封裝形式包含在 6 kV 電流式隔離系列中。元件的輸出可吸收和提供高達 4 A 的電流。通過聯鎖功能可防止交叉傳導。此元件每個輸出皆具有專用的輸入引腳。邏輯輸入與 CMOS/TTL 相容,低至 3.3 V 以便於與控制裝置介接。低側和高側部分之間的延遲匹配,可確保無週期失真,同時容許高頻操作。STGAP2SiCS 提供兩種不同的配置。個別輸出引腳的配置能讓使用者使用專屬的閘極電阻,達到獨立的啟動和關閉最佳化。具有單輸出引腳和米勒箝位功能的配置,能在半橋拓撲快速換向期間,避免發生閘極尖波。

功能
  • 高電壓軌
  • 上升和下降時間匹配的傳播延遲
  • SO-8W
  • STBY
  • 專用 SiC 驅動器
優點
  • 降低大功率應用中的電流,提高效率 (損耗隨 I2 升高),堅固性
  • 避免交叉損耗、無週期失真、高頻運行
  • 主板面積、可靠度和 BOM 成本
  • 必要時減少消耗
  • 由於使用 SiC MOSFET,效率更高

STGAP2SiCS Galvanically Isolated Single Gate Driver

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發佈日期: 2021-01-18