用於 SiC FET 的 STGAP2SICD 6 kV 電流 Iso 雙閘極驅動器

STMicroelectronics 的 STGAP2SiCD 是一款 6 kV 電流隔離式雙通道閘極驅動器，採用 SO-36 寬體封裝，適用於驅動 SiC 功率電晶體。它可在每個閘極驅動通道與低電壓控制和介面電路之間提供電流隔離。STGAP2SiCD 採用最新的 6 kV 電流隔離技術，提供一整套保護及最大的驅動靈活性。

此閘極驅動器的特性是 4 A 能力和軌對軌輸出，因此適用於功率轉換、工業驅動器、逆變器等中高功率應用，並且可以維持高達 1200 V 的高電壓軌。

在整個溫度範圍內，dV/dt 暫態耐受性為 ±100 V/ns，確保了對電壓暫態的卓越穩健性。此元件具有獨立的流入與流出選項，可輕鬆進行閘極驅動配置，並具有米勒箝位功能，可防止半橋拓撲中快速換向期間的閘極尖波。低至 3.3 V 的 CMOS/TTL 相容邏輯輸入確保可與微控制器和 DSP 周邊裝置直接介接。

此元件整合特定的 SiC 欠壓鎖定和熱關斷保護功能，可輕鬆設計高可靠性系統。在半橋拓撲中，聯鎖功能可防止輸出同時處於高位準，從而避免出現錯誤邏輯輸入命令時的擊穿情況。專用的設定引腳可以停用聯鎖功能，允許兩個通道進行獨立、平行的操作。輸入至輸出的傳播延遲在 75 ns 以內，提供準確的 PWM 控制。待機模式可減少閒置功耗。