900 V K5 MOSFET

電源供應器設計人員能採用 STMicroelectronics 最新推出的 900 V MDmesh™ K5 超級接面 MOSFET，滿足系統對更高功率和更高效率的要求，提供同級最佳導通電阻 (R_DS(ON)) 和動態特性。

900 V 崩潰電壓可確保具有高匯流排電壓的系統享有額外的安全餘裕。此系列含有首款 R_DS(ON) 低於 100 mΩ 的 900 V MOSFET，並可提供 DPAK 元件間業界最佳的 R_DS(ON)。此外更具有業界最低的閘極電荷 (Q_G)，可確保更快速切換，可在需要寬廣輸入電壓範圍的應用中達到更高的靈活性。這些特性可確保在所有返馳式轉換器類型中達到高效率和可靠性，包括標準、準共振、主動鉗位設計，額定功率涵蓋最低 35 W 至高達 230 W 或以上。此外，低輸入和輸出電容值（C_ISS、C_OSS）能在半橋 LLC 諧振轉換器中達到零電壓切換，且僅有最少能量損耗。

新款元件提升的安全餘裕以及優異的靜態與動態特性，能讓設計人員針對多種產品改善其效能，例如伺服器電源供應器、三相切換式電源供應器 (SMPS)、LED 照明電源、電動車 (EV) 充電器、太陽能發電機、焊機、工業驅動和工廠自動化。

ST 的 MDmesh K5 超級接面電晶體提供多種額定電壓選項，包括 800 V、850 V、900 V、950 V、1050 V、1200 V 和 1500 V。此外也可搭配多種封裝選項，包括 TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247 長引線、IPAK 和 I²PAK，以及 D²PAK 和 DPAK 表面黏著式電源封裝，因此 ST 的超級接面元件能為設計人員提供完整的超高電壓 (VHV) MOSFET 產品組合。