600 V MDMesh™ DM2 MOSFET

STMicroelectronics 推出 600 V MDmesh DM2 MOSFET,適用於工業應用

STMicroelectronics 的 600 V MDmesh DM2 MOSFET 圖片STMicroelectronics 最新的高效率快速回復二極體 MOSFET 系列具有超低回復電荷 (Qrr) 和回復時間 (trr),針對需要高切換效能的高電壓全橋和半橋拓撲進行最佳化。 這些 600 V 元件還具有超低 Qg、極低 Coss/Ciss、超低導通電阻以及高 dv/dt 耐受能力。

主要特點
  • 快速回復本體二極體
  • 極低閘極電荷與輸入電容量
  • 低導通電阻
  • 超低回復電荷 (Qrr) 和回復時間 (trr)
  • 100% 通過突崩測試
  • 極高 dv/dt 耐受能力
  • 齊納保護

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

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發佈日期: 2016-02-24