RA1C030LDT5CL MOSFET

ROHM 的 RA1C030LD 採用 DSN1006-3 晶圓級晶片尺寸封裝 (1.0 mm x 0.6 mm)，利用 ROHM 自行研發的 IC 製程，實現低功率耗散和更小的尺寸。在表示導通損耗和切換損耗之間關係的效能指數 (導通電阻 × Q_gd) 方面，可實現比同封裝 (1.0 mm x 0.6 mm 或更小) 標準封裝產品低 20% 的業界領先數值，有助於大幅縮小電路板面積並提高各種小型裝置的效率。同時，ROHM 獨特的封裝結構可為側壁提供絕緣保護 (不像同封裝的標準產品沒有保護)。對於因為空間限制而必須採用高密度安裝的小型裝置，這可降低元件之間接觸而導致短路的風險，有助於更安全地運作。