MR45V100A 1 Mbit FeRAM 記憶體 IC

ROHM 的 MR45V100A 1 Mbit 鐵電隨機存取記憶體 (FeRAM) 是為下述應用所設計，如智慧電表、量測設備、醫療設備，以及需要快速且高頻率獲取記錄資料或緊急時快速備份資料的財務終端設備。比起其他如 EEPROM 及快閃記憶體的非揮發性記憶體，FeRAM 具有更快速資料重寫、更高的耐重寫度、及更低的功耗。

MR45V100A 透過 SPI 匯流排提供高速 40 MHz 的運作，可在寬廣的 1.8 V 至 3.6 V 電源電壓範圍操作。大型的 1 Mbit 容量可確保穩定、高速的效能，即使是在不穩定的電力環境下電壓突然下降的情況，因此當安裝它的設備需要高速備份時能貢獻更佳的可靠性。此外，MR44V100A 具有 I²C 匯流排界面，適用於無需高速操作的應用。

而且考量到行動應用，改善待機模式以便抑制當記憶體容量增加時導致的功耗上升，以及實現一個睡眠模式來更進一步地降低功耗。因此能達到低的 10 µA (平均) 待機電流，而睡眠模式電流則僅有 0.1 µA (平均)，因此非常適合用於可攜式裝置和便利的終端設備，例如重視電池使用時間的認證終端設備和資料記錄器。