BM60212 高側和低側驅動器

ROHM 驅動器的工作電壓高達 1200 V,可驅動 N 通道功率 MOSFET 和 IGBT

ROHM BM60212 高低側驅動器的圖片ROHM 的 BM60212FV-C 是高側和低側驅動器 IC,在自舉操作下,工作電壓可高達1200 V,可驅動 N 通道功率 MOSFET 和 IGBT。內置欠壓鎖定 (UVLO) 功能和米勒箝制功能。

特點
  • 通過 AEC-Q100 認證
  • 高側浮動電源電壓 1200 V
  • 主動米勒箝制功能
  • 欠壓鎖定功能
  • 3.3 V 和 5 V 輸入邏輯相容 Grade 1
  • 最大閘極驅動電壓:24 V
  • MOSFET 閘極驅動器
  • IGBT 閘極驅動器
  • 高側浮動電源電壓:1200 V
  • 開啟/關閉時間:75 ns (最大值)
  • 邏輯輸入最小脈衝寬度:60 ns

典型應用電路

典型應用電路圖

BM60212 High- and Low-Side Driver

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IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOPBM60212FV-CE2IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP2433 - 即時供貨$38.86查看詳情
發佈日期: 2019-08-12