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TP65B110HRU 650 V 110 mΩ 高電壓型 GaN 雙向開關
Renesas TP65B110HRU 650 V 110 mΩ 高電壓型 GaN 雙向開關內建低電壓降的飛輪二極體
TP65B110HRU 是一款架構在 Renesas SuperGaN® Gen I 雙向平台上的 650 V 110 mΩ 共汲極型雙向開關 (BDS)。它具有最小的覆蓋區和出色的切換效能指數，能夠在兩個方向上導通電流並阻隔電壓。這款元件結合了單晶片雙向高電壓空乏模式型 GaN 和常關型低電壓的矽晶 MOSFET，為先進的電源應用提供優異的效能、實現標準閘極驅動相容性的高閾值電壓、整合的方便性和強健的可靠度。
特點
- 額定連續峰值 AC 和 DC 電壓為 ±650 V，額定暫態電壓為 ±800 V
- 具有高閾值電壓 (VTH) 的絕緣閘極
- 內建低電壓降的飛輪二極體
- 零反向回復電荷
- 低的閘極電荷 (Qg) 和低的輸出電荷 (Qoss)
- 高的 dv/dt 耐受性
- 高的 di/dt 耐受性
- 軟切換和硬切換能力
- 暫態過電壓能力
- 2 kV ESD 能力 (HBM 和 CDM)
- JEDEC 認證的 GaN 技術
- 符合 RoHS 指令且不含鹵素的封裝
TP65B110HRU 650 V 110 mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65B110HRU-TR | 650V, 110 M GAN BDS IN TOLT | 100 - 即時供貨 | $65.61 | 查看詳情 |
Evaluation Board
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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|  | RTDACHB0000RS-MF-1 | AC-AC HALF BRIDGE CONVERSION EVB | 0 - 即時供貨 | $5,138.44 | 查看詳情 |
發佈日期： 2026-04-29
