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M1000/M3000 系列 MRAM
Renesas 的高速、高效能、非揮發性 MRAM 提供卓越的可靠性
Renesas 的 MRAM 系列高速、高效能 108 MHz 非揮發性 RAM 提供卓越的可靠性，並具有超過 20 年的資料保存能力。與非揮發性 SRAM 相比，本產品不需要備用電池或電容。M30xx 支援四 SPI SDR 和 DDR 介面，工作溫度範圍為 -40°C 至 +105°C (工業級 Plus 版本)，並採用 SOIC 或 WSON 封裝。MRAM 元件非常適合高速、非揮發性記憶體應用，例如程式儲存和資料備份。
特點
- 非揮發性記憶體
- 高耐久性：超過 10E16 週期
- 長期資料保存：超過 20 年
- 快速讀寫，無需等待寫入
- 具有硬體保護模式 (HPM)、使用者可編程／鎖定的特殊 NVM 和軟體保護模式 (SPM) 的資料保護
- 無需備用電池
- 利用先進的 pMTJ STT-MRAM 技術
- 記憶體密度：4 Mb 至 16 Mb
- 高速 Quad SPI 介面，高達 108 MHz SDR 模式
- 最低主動寫入和讀取電流
- 獨立的 256 位元組使用者可編程和可鎖定 NVM
- 工業工作溫度範圍：-40°C 至 +105°C
- 電源電壓：1.8 V、3 V
- 封裝：8 引腳 SOIC 和 8 焊盤 WSON
應用
- 工業控制和自動化
- 醫療用裝置
- 穿戴式裝置
- 網路系統
- 儲存／RAID
- 汽車
MRAM Microcontroller
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | M30082040054X0IWAY | IC RAM 8MBIT SPI/QUAD 54MHZ 8DFN | 371 - 即時供貨 | $176.00 | 查看詳情 |
MRAM Evaluation Board
發佈日期： 2020-06-17
中國香港