Qorvo

QPD1004A 25 W GaN RF 輸入匹配電晶體

Qorvo 電晶體採用 30 MHz 至 1,200 MHz、50 V 的碳化矽基氮化鎵技術，專為廣頻 RF 功率應用而設計

<img src="//sc-a.digikeyassets.com/-/media/Images/Product%20Highlights/Q/Qorvo/QPD1004A%2025%20W%20GaN%20RF%20Input%20Matched%20Transistor/qorvo-qpd1004a-200.jpg?la=en&ts=f1a7ffc2-954c-49f5-b340-95c1d0b2cceb" class="right"" _languageinserted="true" alt="Qorvo QPD1004A 25 W GaN RF 輸入匹配電晶體的圖片" />Qorvo QPD1004A 是一款離散式碳化矽基氮化鎵 HEMT，專為需要高效率與廣頻效能的 RF 功率應用而設計。其工作頻率範圍為 30 MHz 至 1,200 MHz，在 1 GHz 時可提供高達 40 W 的輸出功率，典型附加功率效率 (PAE) 為 73%。此元件整合了 50 Ω 阻抗值的輸入匹配網路，可簡化設計並減少外部元件的數量。

QPD1004A 採用緊湊的 6 mm × 5 mm 無引線 SMT 封裝，支援等幅電波 (CW) 及脈衝操作。其低熱阻封裝提高了嚴苛條件下的可靠性，使其適用於雷達、通訊、測試儀器系統。

特點
  • 頻率範圍：30 MHz 至 1,200 MHz
  • 輸出功率 (P3dB)：1 GHz 時為 40 W
  • 典型線性增益：1 GHz 時為 20.8 dB
  • 典型 PAE：1 GHz 時為 73%
 
  • 工作電壓：50 V
  • 輸入匹配 50 Ω
  • 低熱阻：6 mm x 5 mm SMT 封裝
  • 支援 CW 與脈衝操作
應用
  • 軍用與民用雷達系統
  • 陸地行動與軍用無線電通訊
  • 廣頻與窄頻 RF 功率放大器
 
  • 測試與量測儀器
  • 電子反制 (EMC) 與干擾系統

QPD1004A 25 W GaN RF Input-Matched Transistor

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發佈日期： 2025-12-03