第 1.5 代 SiC 肖特基能障二極體

PANJIT 的第 1.5 代碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體 (SBD) 是專為電氣工程師而開發，用於設計具有較低散熱性的高效能系統。快速回復二極體 (FRD) 在關斷操作時會出現一些逆向恢復電流，從而在主開關導通時產生額外的切換損耗。相較之下，肖特基能障二極體就沒有逆向恢復電流，因此可以在較高的切換頻率下使用，但其缺點是漏電流較高，導致崩潰電壓較低。SiC 元件的帶隙能量高於矽元件，因此漏電流非常低。SiC 元件具有更高的電子速度，帶來優於矽元件的切換效能。

PANJIT 的 SiC SBD Gen.1.5 經過最佳化，對順向電壓 (V_F) 具有低溫度依賴性，因此在高溫操作中可以抑制導通損耗。其在金屬接觸面增加 P+ 層而具有接面位障肖特基 (JBS) 結構。因此，突波電流容量可以大幅提高，這有助於確保冷啟動系統運作的系統級可靠性。PANJIT 的 SiC SBD Gen.1.5 系列具有 650 V 和 1,200 V 的崩潰電壓、4 A 至 40 A 的額定電流、各種離散封裝，例如 TO-220AC、TO-252AA、TO-247AD-3LD。