Panasonic

功率 CSP MOSFET

Panasonic 的先進 110 nm 細微溝槽式晶格矽晶技術

Panasonic 的功率 CSP MOSFET 圖片全球半導體領導廠商 Panasonic 宣佈推出 FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列功率 CSP MOSFET。 此功率 CSP MOSFET 系列採用 Power Mount CSP 封裝 (PMCP)，搭載獨特的焊墊設計和汲極夾式技術， 因此熱耗散效果提升 5%，同時也比傳統方案的尺寸縮減超過 80%。 Panasonic 的先進晶格技術和晶圓薄型化製程能生產 110 nm 細微溝槽式晶格的矽晶，提供比同尺寸傳統晶片還低 47% 的 RDS(on)。 透過此技術，本系列能夠達到更高的能源效率並且降低功耗。

特點
  • 功率表面黏著式 CSP (PMCP) 封裝，能將熱耗散提升 5%，同時比傳統方案縮減 80% 的尺寸
  • 通過 AEC-Q101 認證
  • 細微溝槽矽晶技術比同尺寸傳統晶片的 RDS(on) 還低 47%，達到更高的能源效率，同時降低系統功耗。
  • 尺寸：2.0 x 2.0 x 0.33 mm (FJ3P02100L)、1.8 x 1.6 x 0.33 mm (FK3P02110L)
  • RDS(on)：9.5 mΩ（FJ3P02100L，VGS 為 4.5 V 時的典型值）、12.5 mΩ（FK3P02110L，VGS 為 2.5 V 時的典型值
  • 不含鹵素且符合 RoHS 指令，採用無鉛焊接凸塊


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發佈日期： 2013-07-02