PhotoMOS ® HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半導體型繼電器

Panasonic PhotoMOS 半導體型繼電器覆蓋區小且電流消耗低,適合測試和量測應用

Panasonic PhotoMOS ® HS WSSOP 半導體型繼電器的圖片Panasonic PhotoMOS HS WSSOP 1 Form A 低 C x R 半導體型繼電器採用 1.45 mm x 2.2 mm x 1.75 mm 的小型 WSSOP 封裝,適合高密度安裝。PhotoMOS HS WSSOP 元件具有低電流消耗、高速工作溫度、快速切換速度以及出色的高頻通過特性,例如低的輸出電容和低的導通電阻。

PhotoMOS HS WSSOP 半導體型繼電器具有 10 nA 的低漏電流、16 pF 的典型輸出電容和 0.75 歐姆的典型導通電阻。這款元件的負載輸出額定值為 40 V 和 0.35 A,適用於 IC 測試器、電路板測試器、探針卡和其它種測量設備。

特點和優點
  • 高密度安裝用的小型 WSSOP 封裝
  • 0.15 mA 低的電流消耗可節省能源
  • +125°C 的高工作溫度效能
  • 0.025 ms 的高切換速度可提高吞吐能力
產業類別
  • 測試和量測
  • 電信
  • 工廠自動化
應用
  • IC 測試器、探針卡以及電路板測試器
  • 電信設備
  • 工業設備

PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A Low C x R Semiconductor Relays

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發佈日期: 2025-01-08