太陽能逆變器

在高功率應用中，IGBT 仍然是首選，因為它們在處理高電流、高電壓時，可提供卓越的效能。IGBT 的主要缺點是切換速度較低，但這對太陽能逆變器來說並不那麼重要。onsemi 提供離散式 IGBT 和更整合的模組解決方案。Field Stop7 是新型 1200 V IGBT 系列，經過最佳化，導通損耗低。

與傳統的矽 MOSFET 相比，碳化矽元件在較高電壓下更有用，可減少導通損耗。SiC 逆變器解決方案的損耗低於 IGBT 解決方案。SiC MOSFET 的切換速度更快，這有助於縮小被動元件 (尤其是電感) 的尺寸。另一方面，全 SiC 系統需要全新的系統設計，這進一步增加了成本。新系列 1200 V SiC MOSFET (M3S) 針對高溫運作進行了最佳化，在 18 V 驅動時，具有低至 22 mΩ 的極低 R_DS(ON)。

onsemi 提供具有各種拓撲結構的 IGBT 或 SiC 模組，包括半橋或甚至是單一封裝的完整三位準 A-NPC。電源模組的使用帶來了許多優勢，包括增強的熱特性、更小的系統尺寸、更快的上市速度。這些模組的使用功率範圍為數十至數百 kW。

onsemi EliteSiC 系列的優勢 (影片) - 在此觀看